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## SK하이닉스, 400단 이상 고적층 낸드플래시에 하이브리드 본딩 기술 적용 추진
하이브리드 본딩 기술
SK하이닉스
, 메모리 '게임 체인저' 기술로 불리는하이브리드 본딩 기술을 400단 이상 고적층 낸드플래시에 적용한다고 발표했습니다.
하이브리드 본딩 기술
은 반도체(다이)를 범프(돌기) 없이 구리로 직접 연결하는 기술로, 초고층 낸드 구현의 핵심 기술로 평가됩니다.
SK하이닉스
는 이미 2026년 양산 예정인 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 하이브리드 본딩 적용을 검토 중이었는데, 이번에 낸드까지 적용 범위를 넓히기로 했습니다.
하이브리드 본딩 기술
은 메모리 성능 향상과 더불어 두께를 줄이는 효과가 있어, 완제품이나 모듈 제작에도 유리합니다.
SK하이닉스
는 차세대 낸드에서 소재 혁신도 추진한다고 밝혔습니다. 기존 낸드 저장 게이트 소재인 텅스텐 대신 저항이 낮은 몰리브덴 적용을 검토 중입니다.
SK하이닉스
의 이번 발표는 메모리 반도체 기술 경쟁에서 한 발 앞서 나가겠다는 의지를 보여주는 것으로 해석됩니다.
■ *
■ *
참고:
■ 본 글은 2024년 2월 1일 전자신문 기사 'SK하이닉스 '메모리 게임 체인저는 '하이브리드 본딩'…400단 낸드도 적용 검토''를 바탕으로 작성되었습니다.
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하이브리드 본딩 기술
은 반도체(다이)를 범프(돌기) 없이 구리로 직접 연결하는 기술로, 초고층 낸드 구현의 핵심 기술로 평가됩니다.SK하이닉스
는 이미 2026년 양산 예정인 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 하이브리드 본딩 적용을 검토 중이었는데, 이번에 낸드까지 적용 범위를 넓히기로 했습니다.하이브리드 본딩 기술
은 메모리 성능 향상과 더불어 두께를 줄이는 효과가 있어, 완제품이나 모듈 제작에도 유리합니다.SK하이닉스
는 차세대 낸드에서 소재 혁신도 추진한다고 밝혔습니다. 기존 낸드 저장 게이트 소재인 텅스텐 대신 저항이 낮은 몰리브덴 적용을 검토 중입니다.SK하이닉스
의 이번 발표는 메모리 반도체 기술 경쟁에서 한 발 앞서 나가겠다는 의지를 보여주는 것으로 해석됩니다.■ *
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참고:
■ 본 글은 2024년 2월 1일 전자신문 기사 'SK하이닉스 '메모리 게임 체인저는 '하이브리드 본딩'…400단 낸드도 적용 검토''를 바탕으로 작성되었습니다.
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