삼성전자, 美 실리콘밸리에 '3D D램' R&D 조직 신설

제목: 삼성전자, 차세대 메모리 '3D D램' 개발 조직 신설

삼성전자가 차세대 메모리 반도체인 3D D램 개발에 주력할 조직을 신설했다.

이 조직은 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 속해 있으며, 3D D램의 선제 연구 및 개발을 맡는다.

3D D램은 기존 D램과 달리 칩 안에 있는 기억 소자를 수직으로 쌓아 올린 구조다. 낸드플래시가 3D 적층으로 발전한 것과 같은 개념이다.

트랜지스터를 수직으로 적층하면 회로 축소 부담을 덜 수 있을 뿐만 아니라 용량을 크게 늘릴 수 있다.

삼성전자는 지난해 '메모리 테크데이' 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝힌 바 있다.

이 조직은 실리콘밸리 우수 인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력해 3D D램 기술을 선점한다는 계획이다.

3D D램은 향후 메모리 반도체 시장을 주도할 차세대 기술로 주목받고 있다. 삼성전자의 3D D램 개발 조직 신설은 메모리 반도체 업계의 기술 경쟁을 더욱 치열하게 만들 것으로 예상된다.

핵심 내용

■ 삼성전자, 미국 실리콘밸리에 3D D램 개발 조직 신설
■ 3D D램은 기존 D램과 달리 칩 안에 있는 기억 소자를 수직으로 쌓아 올린 구조
■ 3D D램은 회로 축소 부담을 덜고 용량을 크게 늘릴 수 있어 차세대 메모리 반도체로 주목받고 있다
■ 삼성전자는 3D D램 기술 선점을 위해 실리콘밸리 우수 인력 영입 및 협력 강화에 나설 예정

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